系统特点：多层匀气结构，加热温度60-400℃，600℃可选，金属密封嵌套腔室，气路SiH4/NH3/N2O/CH4等

系统特点：样片放置：旋转式杨平托盘、反应腔室：304不锈钢、氩离子源：160mm，考夫曼型离子源、载样基台：具备旋转功能，工业电机、阀门系统：高真空插板阀（可进行位置预设控压）、真空系统：600L/s分子泵，机械泵组成、真空测量：薄膜规，压力传感器、温控系统：循环水冷、气路系统：标配1路气体，高精度流量计，可根据需求定制多路气体、界面操作：触摸屏操作，菜单自动/手动操作、控制系统：工控机+工业办卡、安全控制：异常报警、刻蚀材料：金属等适用性材料、真空性能：本底真空＜5.0x10-4Pa、设备尺寸：可根据需求定制化生产

系统特点：标准3靶位，可同时溅射两种金属，多层复合膜溅射，金属共溅射或反应溅射、基片台可旋转，特别适合于用剥离技术制作难腐蚀金属的亚微米图形（如Au、Pt、Ta、超导材料等）、标准6英寸装载，兼容小片，基片可以烘烤、射频与直流两种电源配置，金属及非金属薄膜均可溅射、可根据用户需求定制。

系统特点：样品台标准4英寸，兼容小尺寸，可根据使用需求定制、基片加热温度室温-350℃（可选配高温）、前驱体输运系统标准2路液态前驱体管路，可预留、前驱体管路温度室温-150℃、源瓶加热温度室温-150℃、ALD阀Swagelok快速高温ALD专用阀、本底真空＜5*10-5Torr，高性能机械泵+分子泵、载气系统N2或者Ar、生长模式高速沉积模式和停留生长模式、等立子体源0-300w 感应耦合远程等离子体（可选）、等离子体放电气源标准2-4路，可选配、控制系统PLC+触摸屏

系统特点：阳极键合@≤1200V、满足定制化小样品键合、键合气压≥50Torr、可调节性施加外部压力、温度≤250℃、不通气氛下键合、可实现气氛下手动对准功能、整片键合可定制、高温条件可定制

系统特点：6英寸向下兼容，可扩展到8英寸至12英寸，深硅刻蚀工艺、硅基材料/蓝宝石/金属/GaN等、自动化工艺、腔室控温、自动化传片预腔室、可根据被刻蚀样品进行测试及定制特殊需求。

系统特点： 反应离子、水冷、自动化工艺、多路气体等，可根据需求进行定制化生产。

全自动12英寸晶圆倒片机（ALI-300 Wafer Sorter），主要用于晶圆的自动传送、定位和排序。
ALI-300 Wafer Sorter整机采用模块化设计，整机符合SEMI 标准。
设备配有自主知识产权的单臂单叉机械手模块、预对准模块和ID Reader模块，三模块在水平方向上同步运动，可在晶圆传输的过程中实现对晶圆缺口的检测及ID的读取，提高了Sorter的传片效率。
设备同时配置高效FFU，采用全封闭结构，具有超洁净性能，其洁净度达Class1。